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半導(dǎo)體用高濃度臭氧發(fā)生器功能介紹
來源： 發(fā)布時(shí)間：2023-05-10 瀏覽次數(shù)：
單位名稱：中科院
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：ALD
臭氧機(jī)型：H30+J5000

半導(dǎo)體用高濃度臭氧發(fā)生器功能介紹

高濃度臭氧發(fā)生器為ATLAS H30，臭氧濃度超過200mg/L，臭氧檢測(cè)儀為3S-J5000，量程為0-400mg/L